巨頭相繼減產(chǎn)后 存儲產(chǎn)業(yè)二季度筑底

隨著上游存儲原廠紛紛祭出穩(wěn)價、減產(chǎn)舉措，二季度業(yè)績顯示，存儲行業(yè)陸續(xù)開始出現(xiàn)環(huán)比向好走勢。多家存儲頭部廠商都表示，行業(yè)已經(jīng)開始筑底。

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業(yè)績會上存儲廠商普遍提到，其PC和手機終端客戶的庫存情況已經(jīng)得到持續(xù)改善，有分析認(rèn)為，伴隨下半年消費電子行業(yè)旺季到來，存儲產(chǎn)品價格也有望企穩(wěn)回升。

當(dāng)前行情中，AI成為DRAM行業(yè)不可忽視的成長驅(qū)動力，核心技術(shù)HBM(高帶寬內(nèi)存)成為業(yè)績會中的高頻詞。但需要指出的是，在需求方年資本開支相對固定的前提下，AI服務(wù)器對DRAM的高需求，也會衰減對通用服務(wù)器的投入需求。而對于NAND Flash閃存市場，則由于不太受到AI浪潮需求所牽引，其復(fù)蘇進度可能會慢于DRAM。

近日，Counterpoint研究副總監(jiān)Brady Wang向21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者分析，預(yù)計存儲產(chǎn)業(yè)在今年第三季度依然微幅下跌，第四季度將出現(xiàn)持穩(wěn)表現(xiàn)?！澳壳暗粫霈F(xiàn)此前多個季度雙位數(shù)下滑的表現(xiàn)，但真正穩(wěn)定還是要等四季度。”他指出，AI行情旺盛也驅(qū)動了對存儲器的相應(yīng)需求，但存儲器市場最大的需求還是來自手機和PC等市場。因此存儲行情的扭轉(zhuǎn)程度，仍要看這類主體市場的需求回升進度。

筑底

近日，全球頭部存儲廠商相繼發(fā)布今年二季度財務(wù)報告，其中顯示環(huán)比上一季度，存儲行業(yè)普遍出現(xiàn)不同程度上漲，當(dāng)然若要同比基數(shù)較高的2022年，則依然有較大幅度下滑。

但“筑底”是存儲廠商在近期描述的關(guān)鍵詞之一。

存儲產(chǎn)業(yè)Top1廠商三星的二季度財報顯示，公司存儲業(yè)務(wù)部分的收入環(huán)比微漲1%、同比依然大幅下挫57%。但公司方面表示，產(chǎn)品庫存于5月觸頂后開始下降，伴隨庫存調(diào)整接近尾聲，預(yù)計2023下半年需求將逐漸恢復(fù)。公司將擴大DDR5、LPDDR5X、HBM等高附加值產(chǎn)品的銷售。

存儲產(chǎn)業(yè)Top2廠商SK海力士二季度財報顯示，期內(nèi)實現(xiàn)營收7.31萬億韓元，環(huán)比大幅增長44%、同比依然下滑47%。公司方面表示，內(nèi)存需求從2023年二季度開始復(fù)蘇，但不足以使庫存恢復(fù)正常，2023年DRAM和NAND產(chǎn)能均將下降。由于生成型人工智能開發(fā)和商業(yè)化的競爭加劇，第二季度對人工智能相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品的需求激增，擴大了高密度DDR5等高端產(chǎn)品的銷售。

DRAM行業(yè)Top4的南亞科技高管在財報會上表示，2022年二季度開始，DRAM需求逐季下滑，但伴隨DRAM供應(yīng)商在持續(xù)調(diào)節(jié)產(chǎn)能和產(chǎn)品組合配置，2023年二季度行業(yè)開始筑底，下半年有機會需求逐步改善，預(yù)期第四季供需可望恢復(fù)平穩(wěn)，但仍要觀察全球經(jīng)濟景氣度的復(fù)蘇力度。

NAND Flash主控芯片頭部廠商群聯(lián)電子，其執(zhí)行長潘健成分析，近期有出現(xiàn)部分NAND控制芯片急單需求，甚至發(fā)生部分訂單有短缺供給的問題，顯示市場陸續(xù)出現(xiàn)回溫的信號。

根據(jù)潘健成分析，隨著進入傳統(tǒng)第三季備貨旺季，再加上NAND價格處于相對低檔，近期有看到NAND儲存模塊需求有緩慢增加，包含客戶逐漸導(dǎo)入大容量儲存模塊產(chǎn)品。由此也反映在群聯(lián)6月Bit Growth，約有36%左右的年增率。

只是從產(chǎn)品線來看，頭部廠商的DRAM部分業(yè)務(wù)明顯受益于生成式AI技術(shù)對高端存儲產(chǎn)品的旺盛需求；相比之下，NAND Flash則依然要被考慮需要酌情減產(chǎn)。

三星方面表示，下半年將維持下調(diào)產(chǎn)量的計劃，正選擇性地對部分DRAM和NAND產(chǎn)品的生產(chǎn)進行調(diào)整，特別是NAND產(chǎn)品，不過公司并未具體說明；同時公司希望提高盈利能力，因此將提高高附加值產(chǎn)品份額。

SK海力士方面有類似思考，公司方面表示與DRAM相比，NAND具有較高的行業(yè)庫存水平、較低的盈利能力，因此決定進一步削減NAND產(chǎn)量，對其額外減產(chǎn)5%-10%。

當(dāng)然，預(yù)期向好是一方面，最大的不確定性還是來自全球宏觀環(huán)境變化是否能如預(yù)期。

潘健成指出，NAND原廠自第二季開始陸續(xù)釋出逐漸漲價的訊號，包含7月啟動新訂單調(diào)漲價格或既有訂單重新議價，代表NAND原廠不堪虧損的壓力持續(xù)擴大； 然而是否能因此帶動市況反轉(zhuǎn)，仍須看整體需求以及市場的接受度。

南亞科技方面則分析，整體供給面，預(yù)期2023年產(chǎn)業(yè)供給將同比減少；需求方面，服務(wù)器市場有AI服務(wù)器對云端的需求，但企業(yè)的IT支出保守，因此美國云服務(wù)商的復(fù)蘇力度需要重點觀察；手機在下半年將陸續(xù)迎來新機上市，平均DRAM搭載量將增加，但也需觀察中國市場的手機銷售復(fù)蘇力度。

逐AI

在等待需求恢復(fù)進程中，AI無疑成為難得持續(xù)高成長需求的細(xì)分市場。

生成式AI對于存儲的需求邏輯在于：算力成長的同時，伴隨著對于存力和運力的需求，要將數(shù)據(jù)進行運輸和留存。算力背后主要是GPU支撐；存力則主要是存儲器，尤其是DRAM內(nèi)存的需求；運力則是由于在數(shù)據(jù)計算和存儲之間存在“內(nèi)存墻”，因此需要如DSP等芯片進行數(shù)據(jù)運輸，這也是近兩年來存算一體、存內(nèi)計算提出的原因，旨在緩解內(nèi)存墻對算力速率的影響。

由AI服務(wù)器帶來對存儲的需求也在財報會上被著重關(guān)注，HBM(高帶寬內(nèi)存)是其中需求最為旺盛、技術(shù)門檻最高的技術(shù)。目前三大存儲原廠三星、SK海力士、美光均有相應(yīng)產(chǎn)品配置，以SK海力士和三星占據(jù)幾乎壟斷的90%市場份額。

美光在5月發(fā)布公司第三財務(wù)季度報告中曾著重提到，AI服務(wù)器中對DRAM容量的要求，是通用服務(wù)器需求的6-8倍；NAND方面則是3倍。因此生成式AI驅(qū)動對AI服務(wù)器的需求，成為公司業(yè)務(wù)的強勁支撐。

SK海力士的財報顯示，受益于用于AI服務(wù)器的HBM和高密度DDR5模塊銷量大幅增長，為第二季度的DRAM出貨量和ASP增長做出了貢獻。

在業(yè)績會上SK海力士高管則表示，包括HBM產(chǎn)品在內(nèi)的圖形DRAM銷售額此前僅占公司DRAM銷售額的個位數(shù)百分比，但在2022年四季度達(dá)到DRAM銷售額的10%，該比例在快速成長，到2023年二季度為20%以上。公司預(yù)計HBM疊加圖形類產(chǎn)品，共計占DRAM總收入20%，預(yù)估2023年該部分銷售額同比將增長2倍以上。

但需要注意的是，AI催生的需求并非惠及所有廠商，從大存儲板塊來說，HBM等高端存儲需求依然處在較小的市場規(guī)模。

群智咨詢(Sigmaintell)副總經(jīng)理兼首席分析師陳軍對21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者分析，HBM用于高端GPU和服務(wù)器的DRAM，全球一半的HBM供應(yīng)主要來源于SKhynix，三星次之。由于HBM價格相對較高，服務(wù)器市場普遍還是以DDR4和DDR5為主，HBM在整體DRAM中的占比仍然很低。

“AI服務(wù)器所需的HBM存儲占DRAM體量較低，大約在單個位數(shù)比重，因此目前階段對存儲行情的拉動效果不明顯；而存儲還有接近一半市場是NAND Flash閃存，這部分仍然還有需求下滑的可能性?！盉rady也有類似觀點，他指出，因此AI服務(wù)器的旺盛在今年內(nèi)還無法為存儲器市場帶來明顯反轉(zhuǎn)，大約在年底才能看到行情一定程度修復(fù)。